為了進(jìn)一步探求EDI（EDI純水設(shè)備）在除去弱離子方面的性能限制，Hernon等(1999)進(jìn)行了下面的實(shí)驗(yàn)研究，著重在大規(guī)模，50gal • min^-1的裝置中，流速和電流強(qiáng)度對(duì)二氧化硅除去的影響。當(dāng)進(jìn)料水經(jīng)RO（RO反滲透膜）處理后，用于該試驗(yàn)的EDI進(jìn)料水含有20μS• cm^-1的NaCl和0.5μL•L^-1的CO₂。如圖18.11所示，對(duì)于恒定的電流強(qiáng)度， 二氧化硅去除率隨流速增加而降低。增加流速導(dǎo)致停留時(shí)間越短，對(duì)強(qiáng)電離子遷移的有用電流的利用越大，以及對(duì)弱離子除去的有用的水分裂越少。然而，甚至在超過(guò)額定速率50%的速度下，二氧化硅去除率仍在95 %以上。圖18. 12表明對(duì)恒定的流速電流強(qiáng)度對(duì)二氧化硅去除率的影響。最初，由于較高程度的樹(shù)脂/膜再生，二氧化硅去除率隨電流強(qiáng)度的增加而增加。然而，在一定的電流I₀時(shí)趨向平緩，該電流I₀是流速和進(jìn)料水組成的函數(shù)。在高于I₀的電流密度時(shí)運(yùn)行不會(huì)進(jìn)一步影響二氧化硅的去除率，因?yàn)樵趯?duì)二氧化硅去除率的這點(diǎn)上的限制因素是停留時(shí)間。
                       
      上述的研究確定了在EDI裝置中弱離子除去的程度是與在EDI內(nèi)發(fā)生的水分裂的程度相聯(lián)系。上述的研究也提供計(jì)算除去弱電離組分的設(shè)計(jì)條件的基礎(chǔ)。